LOR負光刻膠

LOR??負光刻膠

產品名稱：光刻膠

型號：LOR

關鍵詞：MicroChem系列光刻膠

PMGI & LOR負光刻膠使能高產，廣泛應用于在處理多種數據存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負光刻膠作為雙疊層光刻膠，PMGI & LOR在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化（＜0.25μM），以及非常厚（＞4μm）金屬化。這些獨特的材料可幾乎滿足任何客戶需要。

材料用途：金屬電梯加工，橋制造，釋放層

材料屬性：

l? 覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜

l? 在TMAH雙疊層一步發展，或KOH開發

l? 高熱穩定性：Tg ~190 C

l? 快速清除和常規抗剝離干凈

l? 0.25μm微米雙層抗蝕成像

l? 產量高，可用于很厚（＞3μm）金屬剝離處理

Bi-Layer Lift-Off Process	Lift-Off: An enabling, additive lithographic process.
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Step 1. LOR or PMGI is coated	1. Bi-layer resist pattern
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Step 2. The imaging resist is coated onto?the LOR or PMGI layer.	2. Metal Deposition
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Step 3. The imaging resist is exposed.	3. Clean solvent lift-off
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Step 4. The wafer is developed.
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Step 5. Metal Deposition
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Step 6. Lift-Off!